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本公開涉及半導體存儲器，并且更具體地，涉及包括非易失性存儲器裝置的存儲裝置、其操作方法和非易失性存儲器裝置的操作方法。、半導體存儲器被分類為在斷電時丟失存儲在其中的數(shù)據(jù)的易失性存儲器裝置（諸如，靜態(tài)隨機存取存儲器（sram）、動態(tài)ram（dram）或同步dram（sdram））或者即使在斷...

本發(fā)明的實施方式涉及盤裝置。、近年來，作為盤裝置，為了高記錄密度化、大容量化或者小型化，提出了使用垂直磁記錄用的磁頭的磁盤裝置。在這樣的磁頭中，記錄頭具有使垂直方向磁場產(chǎn)生的主磁極、在主磁極的拖尾側(cè)隔著寫間隙配置的寫屏蔽磁極、以及用于在主磁極流通磁通的線圈。而且，出于提高記錄密度的目的，提...

本申請涉及電路，尤其涉及一種譯碼器電路和譯碼器。、靜態(tài)隨機存儲器(static?random?access?memory，sram)具有讀寫速度讀快，功耗低且工作穩(wěn)定等特點，被廣泛使用于便攜式移動設備、傳感器和醫(yī)療設備等需要快速存取的高性能系統(tǒng)中。譯碼器作為sram外圍電路的重要組成部分，...

本公開一般地涉及半導體領(lǐng)域，并且，更具體地，示例實施例涉及一種存儲器設備。、由于近來的電子產(chǎn)品中對高速及低功耗的需求，嵌入在電子產(chǎn)品中的存儲器設備也被要求具有高操作速度及低功耗。因此，正在進行對鐵電存儲器設備的研究。、鐵電隨機存取存儲器(feram)，也稱為fram，具有類似于動態(tài)隨機存取...

發(fā)明構(gòu)思涉及存儲器裝置和存儲器裝置的操作方法，更具體地，涉及被配置為提高設置數(shù)據(jù)的可靠性的存儲器裝置。、非易失性存儲器裝置包括被配置為以非易失性方式存儲數(shù)據(jù)的多個存儲器單元，因此即使在斷電之后數(shù)據(jù)也被保持。閃存可用于實現(xiàn)非易失性存儲器裝置。閃存裝置可用于移動電話、數(shù)碼相機、便攜式數(shù)字助理（...

本公開涉及一種存儲器件、其存儲區(qū)域及該存儲器件的操作方法，并且更具體地，涉及一種可通過校準數(shù)據(jù)信號的電壓電平來校準數(shù)據(jù)信號的電壓電平相對于參考值的偏移量的存儲器件。、當在存儲器件中執(zhí)行寫入操作或讀取操作時，會執(zhí)行數(shù)據(jù)信號的傳輸。數(shù)據(jù)信號可以以一定的電壓電平傳輸。由于存儲器件的內(nèi)部電阻，數(shù)據(jù)...

本申請涉及硬盤測試，尤其涉及服務器實際硬盤物理槽位與硬盤信息映射方法及裝置。、目前，測試人員可通過nvme（non-volatile?memory?express，非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范）硬盤盤符亂序診斷策略、磁盤亂序的檢測策略或驗證磁盤亂序自動化測試方法等進行硬盤測試操作。、具體...

本申請涉及存儲，具體涉及一種閃存設備隨機化效果的驗證方法和驗證裝置、存儲介質(zhì)。、閃存設備數(shù)據(jù)隨機化是保障數(shù)據(jù)安全與設備可靠性的關(guān)鍵手段。通過打亂原始數(shù)據(jù)的排列規(guī)律，使其以無序、均勻的方式分布于存儲單元中，一方面能有效抵御攻擊者利用數(shù)據(jù)殘留、寫入模式等特征進行的信息竊取與篡改，提升數(shù)據(jù)安全性...

本發(fā)明涉及存儲領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器的測試方法、裝置、設備及介質(zhì)。、存儲器（emmc）是一種廣泛用于移動設備（如智能手機和平板電腦）的內(nèi)嵌式存儲器標準。存儲器將快閃存儲介質(zhì)（nand?flash）、存儲控制器和標準接口集成在一個封裝內(nèi)。目前，在基于存儲器的固件測試領(lǐng)域，當存儲器執(zhí)行啟動操...

本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)存儲裝置，具體為一種用于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)儲存裝置及其使用方法。、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)是將信息通信技術(shù)與工業(yè)經(jīng)濟緊密結(jié)合的新型基礎設施和應用模式，它通過連接人、機器、物品和系統(tǒng)等來建立覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈和全價值鏈的全新制造和服務體系，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)不僅是工業(yè)數(shù)字化、網(wǎng)絡化和智能化轉(zhuǎn)型的基礎設施，也...

本發(fā)明涉及存儲領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器的測試方法、裝置、設備及介質(zhì)。、emmc作為一種集成了控制器與nand?flash的嵌入式存儲解決方案，因其接口標準化、集成度高而被廣泛應用于移動設備等領(lǐng)域。為了確保存儲器與主機間數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏蚀_性，需要克服由芯片制造工藝、pcb走線、電壓溫度變化等因素...

本公開實施例涉及半導體，特別涉及一種測試電路以及測試方法。、某些讀取/寫入存儲器，例如動態(tài)隨機存取存儲器(dram)，包含具有存儲信息的存儲器單元的陣列。舉例來說，某些dram裝置，例如同步動態(tài)ram(sdram)裝置，可具有多個存儲器組，所述多個存儲器組具有包含在存儲器陣列中的許多可尋址...

實施方式涉及磁盤裝置。、已知有如下技術(shù)：在制造磁頭的后續(xù)工序中，通過磨削和離子束蝕刻對磁頭所包括的元件進行刮削，來調(diào)整元件高度。技術(shù)實現(xiàn)思路、由于如已經(jīng)描述的那樣對元件高度進行刮削，主磁極部的凹凸會根據(jù)磁極的寬度而變化。具體而言，磁極的寬度越寬，突出高度越大。因此，特別是在磁極寬度大的磁頭...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理的，特別涉及一種otp存儲器的控制方法和裝置。、otp（一次性編程技術(shù)）廣泛用于為電機控制集成電路（ic）編程參數(shù)設置，例如調(diào)整、速度曲線設置、前導角設置和軟啟動設置。這意味著otp用于配置電機控制ic，以便根據(jù)需要調(diào)整各種參數(shù)，如速度曲線、前導角和軟啟動等。、otp只能...

本申請涉及計算機，特別涉及一種音頻播放速度的調(diào)整方法、設備及存儲介質(zhì)。、在播放音頻內(nèi)容時，很多人會改變音頻原本的播放速度，以高于或低于正常速度進行播放，更符合其聽感。、相關(guān)技術(shù)中，用戶在音頻應用程序中選擇一個音頻進行播放后，可以手動調(diào)整音頻的播放速度，讓音頻播放符合用戶的聽感需求。、然而，...

本公開涉及存算，具體地涉及一種存算一體電路。、在傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)中，由于數(shù)據(jù)計算和數(shù)據(jù)存儲分離，因此基于架構(gòu)頻繁將數(shù)據(jù)存入或取出，會造成較大的延時和功耗，限制了能效的提升。存內(nèi)計算（computing?inmemory，cim）?是在上述架構(gòu)的基礎上進行的創(chuàng)新。在存內(nèi)計算架構(gòu)中，實現(xiàn)了將...

本發(fā)明構(gòu)思涉及電子設備，并且更具體地，涉及多級升壓電荷泵電路和包括該多級升壓電荷泵電路的存儲器裝置。、半導體存儲器裝置可以主要分類為易失性半導體存儲器裝置和非易失性半導體存儲器裝置。易失性半導體存儲器裝置具有快速的讀寫速度，但是如果切斷其電力，則丟失存儲在其中的內(nèi)容。然而，即使當切斷其電力...

本公開涉及一種半導體存儲器件，并且更具體地，涉及一種被配置為使用共享開關(guān)電路來控制串聯(lián)連接的傳輸晶體管的塊選擇電路、以及包括該塊選擇電路的閃存。、半導體存儲器可以主要分為易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器（例如，動態(tài)隨機存取存儲器（dram）或靜態(tài)隨機存取存儲器（sram））的讀寫...

本公開涉及一種存儲器裝置和存儲器裝置的操作方法。、例如，半導體存儲器可被分類為易失性存儲器或非易失性存儲器。通常，當與非易失性存儲器比較時，易失性存儲器（例如，動態(tài)隨機存取存儲器（dram）或靜態(tài)隨機存取存儲器（sram））可表現(xiàn)較快的讀取速度和/或?qū)懭胨俣取Ｈ欢?，當施加到易失性存儲器的?..

本發(fā)明涉及一種存儲器器件及其刷新方法。、諸如動態(tài)隨機存取存儲器(dram)的易失性存儲器器件可以通過將電荷存儲到存儲單元的電容器來存儲數(shù)據(jù)，并且可以通過確定存儲在電容器中的電荷來讀取數(shù)據(jù)。存儲在電容器中的電荷隨時間泄漏，因此存儲器器件可以定期地執(zhí)行刷新操作。、存儲器控制器可以隨機訪問存儲器...