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本申請涉及半導體，具體涉及一種熔絲存儲電路及其故障檢測方法。、熔絲存儲器（efuse）是一種一次性可編程的非易失性存儲器，其在集成電路中被廣泛使用。熔絲存儲器電路主要包括選通器件（nmos管）和熔絲元件，通過地址譯碼和邏輯電路進行選通操作，將相應的存儲單元支路開啟后，施加燒錄電壓。在完成燒...

本申請屬于芯片修復，具體涉及一種芯片修復分析方法、電子設備及存儲介質。、隨著集成電路制造工藝的發(fā)展，存儲芯片在生產制造過程中不可避免地會產生一定數量的失效單元。為提高芯片成品率，現代存儲芯片通常在設計階段設置備用行和備用列等冗余修復資源，使得在測試階段能夠利用冗余修復資源對存在失效單元的內...

本公開涉及一種半導體存儲器件。更具體地，本公開涉及一種包括多個存儲器件的存儲器模塊，以及包括該存儲器模塊的存儲器系統(tǒng)。、諸如動態(tài)隨機存取存儲器（dram）器件之類的易失性存儲器件可以將數據以電荷的形式存儲在存儲單元中。易失性存儲器件的存儲單元中存儲的電荷可能會基于各種因素而逐漸泄漏。為了保...

本文所描述的本公開的實施例涉及半導體器件，并且更具體地涉及一種被配置為減少設置在板線上的接觸插塞和/或焊盤的數量的鐵電存儲器件及其操作方法。、鐵電隨機存取存儲器（fram）器件正在作為被配置為即使移除電力時也能保持數據的非易失性存儲器件之一被研究。fram具有比動態(tài)隨機存取存儲器（dram...

本發(fā)明涉及一種電壓設定方法，尤其涉及一種初始擦除電壓的設定方法。、閃存的擦除時間是與測試成本和產品應用相關的一個重要因素。對于具有隧道氧化物（tunnel?oxide）結構的nor型閃存產品，由于隧道氧化物中會產生電荷陷阱，因此在循環(huán)操作時，擦除時間會更長。在現有技術中，為了縮短擦除時間，...

本申請涉及電路，特別涉及一種抗單粒子翻轉的單元電路、靜態(tài)隨機存取存儲器及設備。、vlsi(very?large?scale?integration?circuit，超大規(guī)模集成電路)在航空航天領域，特別是人造衛(wèi)星、無人航天器(如月球車等)上的應用越來越廣泛。而為了滿足航天器愈發(fā)復雜的任務需...

本申請涉及移動終端，更具體地，涉及一種存儲器管理方法和裝置、存儲器的預擦除方法和裝置、存儲器及存儲系統(tǒng)。、目前，在閃存存儲器中，特別是nand類型的閃存存儲器，通常需要執(zhí)行預擦除操作。通常，此類存儲器在當前塊寫滿，切換到新塊時，要先對新塊進行擦除處理，然后寫入數據。技術實現思路、本申請?zhí)岢?..

本發(fā)明涉及存儲芯片測試，具體涉及一種多模塊協同的抽屜式存儲芯片測試系統(tǒng)及其測試方法。、隨著存儲芯片產業(yè)的快速發(fā)展，市場對存儲芯片的產能需求持續(xù)攀升，對存儲芯片測試環(huán)節(jié)的效率和密度提出了更高要求。當前存儲芯片測試主要依賴傳統(tǒng)測試系統(tǒng)，該類系統(tǒng)采用固定式架構設計，測試區(qū)與機柜剛性固定且呈并排布...

本公開涉及一種存儲器系統(tǒng)，并且更具體地，涉及一種執(zhí)行有效刷新操作的存儲器設備、存儲器控制器和存儲器系統(tǒng)。、存儲數據的半導體存儲器設備可以被分類為易失性存儲器設備和非易失性存儲器設備。易失性存儲器設備在其電力供應中斷時丟失其存儲的數據。、在諸如動態(tài)隨機存取存儲器（dram）設備的易失性存儲器...

本發(fā)明是關于存儲器裝置，特別是一種存儲器中的計算裝置。、隨著數據量的快速增長以及例如云端計算及大數據的技術的興起，傳統(tǒng)計算模型面臨效能瓶頸，且存儲器計算（in-memory?computing，imc）亦應運而生。imc是一種計算架構，可以結合存儲器中的數據存儲及計算過程，以減少處理器與存...

本發(fā)明是有關一種存儲器裝置、系統(tǒng)及其運算方法，特別是涉及到存儲器內的運算(in-memory?computing，imc)的存儲器裝置、系統(tǒng)及其運算方法。、隨著數據量的快速增長以及云運算、大數據等技術的興起，傳統(tǒng)的運算模型面臨性能瓶頸，存儲器內運算(in-memory?computing，...

本發(fā)明的實施方案可整體涉及硬盤驅動器，并且具體地涉及被構造用于跨磁頭堆疊組件(hsa)的全操作頻譜實現有效性和效率的再循環(huán)過濾器系統(tǒng)的方法。、硬盤驅動器(hdd)是非易失性存儲設備，其容納在保護殼體中并將數字編碼數據存儲在具有磁性表面的一個或多個圓形磁盤上。當hdd在操作中時，由主軸系統(tǒng)快...

本發(fā)明是有關于一種位元運算技術，且特別是有關于一種存儲器內位元運算電路以及存儲器內位元運算方法。、位元運算(bitwise?operation)是一種具有廣泛運用的計算方式。假設有兩個具有相同位元數運算元(operand)進行邏輯運算時，運算子(operator)會將第一個運算元的每一個位...

本公開涉及半導體，尤其涉及一種片選信號校準電路和存儲器。、在動態(tài)隨機存取存儲器（dynamic?random?access?memory，dram）正常工作前，片上系統(tǒng)（system?on?chip，soc）需要校準片選信號與時鐘信號間的相位關系，保證時鐘信號到達dram內部后可以正確采樣...

本公開屬于芯片測試領域，涉及邏輯存儲單元測試電路，特別是涉及邏輯存儲單元測試電路、測試方法、介質、程序產品及終端。、在芯片設計過程中，可測試性設計(dft)是針對芯片回片之后更方便的測試而必須做的一類設計。dft在芯片設計流程中是排在功能（function）設計之后，而且需要添加額外的邏輯...

本公開涉及判決反饋均衡器和包括其的半導體裝置。、在存儲器系統(tǒng)中，主機和存儲器裝置通過傳輸線（或通信信道）連接，并且數據信號可通過傳輸線在主機與存儲器裝置之間被交換。歸因于由傳輸線的特性或傳輸線的帶寬的限制產生的噪聲引起的符號間干擾（isi），由存儲器裝置接收的數據信號可失真。、例如，隨著數...

本申請實施例涉及存儲領域，特別涉及一種刷新方法及存儲介質。、動態(tài)隨機存取器(dram，dynamic?random?access?memory)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是還是。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上...

本發(fā)明涉及存儲器，尤其涉及一種非易失性存儲器。、靜態(tài)隨機存取存儲器（static?random-access?memory，sram）是一種基于雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的半導體存儲器，具有高速訪問、無需刷新和低延遲特性，主要應用于cpu高速緩存、嵌入式系統(tǒng)以及網絡設備等領域。、但是相關技術中的sram...

本申請涉及測試，特別涉及一種兼容老化子板、測試方法、控制器、介質及產品。、在相關技術中，存儲芯片老化測試（burn-in?test）是半導體可靠性工程的核心環(huán)節(jié)，旨在通過施加高溫、高電壓、高頻電應力等加速條件，提前暴露芯片的早期缺陷和潛在失效機制，確保出廠產品的長期穩(wěn)定性。存儲芯片完成封裝...

本發(fā)明構思的示例實施例涉及半導體存儲器件，包括一次性可編程（otp）存儲器件，該一次性可編程（otp）存儲器件包括非對稱金屬柵極，以提高信號設置速度并降低功耗。、具有反熔絲結構的otp存儲器是一種用于集成電路的嵌入式非易失性存儲器。otp存儲器是一種可靠的存儲器件，兼容互補金屬氧化物半導體...