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本技術(shù)屬于計算機存儲設(shè)備，涉及固態(tài)硬盤測試，特別是一種固態(tài)硬盤高溫測試裝置。、固態(tài)硬盤是一種用固態(tài)電子存儲芯片陣列制成的硬盤，其核心由?控制單元?（主控芯片）和?存儲單元?（如nand閃存芯片）組成，完全摒棄了傳統(tǒng)機械硬盤的磁性盤片和磁頭等機械部件。、固態(tài)硬盤在使用時，會產(chǎn)生高溫，這種高溫...

本申請屬于動態(tài)隨機存儲器，尤其涉及一種dram讀數(shù)據(jù)時序校準(zhǔn)方法及裝置。、動態(tài)隨機存取存儲器（dynamic?random?access?memory，dram）作為現(xiàn)代計算系統(tǒng)中核心的易失性存儲部件，憑借其高密度、低成本以及與cmos工藝高度兼容的優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、個人計算機、移動...

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別是一種抗單粒子翻轉(zhuǎn)的rhs-t-sram電路，及其對應(yīng)的抗輻照存儲電路和抗輻照存儲芯片。、太空環(huán)境中充斥著大量的高能輻射粒子，輻射粒子可能會導(dǎo)致航天器件的運行發(fā)生故障，其中，單粒子效應(yīng)（single?event?effect，see）對空間環(huán)境中集成電路的運行構(gòu)...

本技術(shù)涉及托架，尤其涉及一種托架、硬盤模組、存儲器及電子設(shè)備。、托架是一種用于支撐、固定或承載其他物體的結(jié)構(gòu)，在眾多領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用，例如應(yīng)用在硬盤模組中，用于承載硬盤?，F(xiàn)有的托架一般為單個結(jié)構(gòu)，將硬盤安裝在托架上時需要通過螺絲來固定，由于螺絲數(shù)量多、體積小，工作人員在拆裝硬盤的過程中很容...

本申請涉及非易失性存儲芯片，例如涉及一種用于flash存儲器的驗證方法及裝置、通用驗證平臺。、目前，flash仿真驗證方法采用將輸入信號依次按照操作手冊的時序?qū)懭雝estbench（驗證平臺）的方式，然后仿真該時序的功能產(chǎn)生波形文件，檢查testbench所定義的flash功能是否正確。但...

本發(fā)明涉及現(xiàn)場可編程邏輯器件，特別涉及一種應(yīng)用于flash型fpga芯片的字線控制電路。、fpga(field?programmable?gatearray，現(xiàn)場可編程門陣列)，按照內(nèi)部可編程配置單元來劃分，當(dāng)前市場上主流的fpga芯片主要有sram型、反熔絲型和flash型fpga三種類...

本申請涉及固態(tài)存儲，特別是涉及一種時序校準(zhǔn)參數(shù)確定方法、時序校準(zhǔn)方法、裝置及電子設(shè)備。、固態(tài)存儲中可以使用非易失性存儲器存儲數(shù)據(jù)；非易失性存儲器包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲顆粒，以及用于控制在存儲顆粒中讀寫數(shù)據(jù)的主控。主控和存儲顆粒之間可以基于dq（data?queue，數(shù)據(jù)隊列）數(shù)據(jù)線...

本申請涉及電子芯片測試，特別涉及一種數(shù)據(jù)誤碼率的計算方法、控制器、介質(zhì)及產(chǎn)品。、在相關(guān)技術(shù)中，nand?flash是現(xiàn)如今廣泛使用的存儲產(chǎn)品，具有速度快，非易失等優(yōu)良特性。其內(nèi)部實際上以存儲電荷的形式來表示數(shù)據(jù)，一些內(nèi)外部環(huán)境變化會導(dǎo)致電荷數(shù)量變化進而導(dǎo)致閃存數(shù)據(jù)錯誤比特產(chǎn)生。技術(shù)實現(xiàn)思路...

本技術(shù)涉及存儲器，尤其涉及一種阻變存儲陣列的讀取電路以及一種存儲器。、阻變存儲陣列是通過若干字線與位線連接大量阻變存儲單元，所排布形成的二維或三維的陣列結(jié)構(gòu)。字線(word?line,wl)為阻變存儲陣列中直接連接阻變存儲單元使能端的導(dǎo)線，其核心功能是通過信號激活目標(biāo)單元所在的行，使其與位...

本發(fā)明涉及存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)和制造存儲器系統(tǒng)的方法。、人工智能（ai）在現(xiàn)代社會中的優(yōu)勢使得能夠在從自然語言處理到癌癥診斷的領(lǐng)域中進行廣泛的變革性新應(yīng)用。當(dāng)今的ai算法是高度內(nèi)存受限的。然而，有限的主存儲器容量和帶寬是瓶頸，并且從dram的數(shù)據(jù)移動是昂貴的。、需要高速、高密度、高能效存...

本發(fā)明涉及一種快閃存儲器控制器機制，特別有關(guān)于一種快閃存儲器控制器及一對應(yīng)的編解碼方法。、一般來說，現(xiàn)有傳統(tǒng)的快閃存儲器控制器僅支援一種對于一固定數(shù)據(jù)長度的一編解碼模式(coding?mode)，例如具有一固定位元長度之低密度奇偶校驗碼字(low?densityparity?check(l...

本申請實施例涉及終端，尤其涉及一種存儲功能的檢測方法、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品。、固態(tài)硬盤(solid?state?disk，ssd)等是電子設(shè)備中重要的存儲器件，其性能和穩(wěn)定性直接影響電子設(shè)備的運行效率。隨著存儲器件使用時間的增加，其老化現(xiàn)象會日益明顯，比如，存儲器件的讀寫速度顯著下...

本申請涉及存儲，尤其涉及一種芯片及其控制方法、存儲器、電子設(shè)備。、存儲器是用于存儲計算機程序或數(shù)據(jù)的存儲器件，例如，動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)、鐵電隨機存儲器(ferroelectric?randomaccess?memory，...

本申請的所公開實施例涉及半導(dǎo)體存儲，且更具體而言，涉及一種存儲裝置。、若動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)存在字線(wordline,wl)、位線(bit?line,bl)損壞(例如，短路(short)或開路(open))的情況，則需要...

本申請涉及存儲器，例如涉及一種cg信號調(diào)節(jié)電路及eflash存儲芯片。、嵌入式閃存（即eflash）已廣泛應(yīng)用于面向移動通信、微控制器、智能卡和非接觸式卡等系統(tǒng)級芯片中。其憑借高速操作、低功耗和使用壽命長等特性實現(xiàn)片上非易失性存儲，使用壽命是其重要的設(shè)計因素之一。嵌入式閃存內(nèi)部控制柵（co...

本公開的一個或多個示例實施例涉及存儲器裝置。、當(dāng)固態(tài)驅(qū)動器（ssd）裝置用作存儲裝置時，ssd裝置能夠以高速度輸入和輸出大量數(shù)據(jù)，并且對ssd裝置的需求正在增大。ssd裝置通常以其中存儲器芯片封裝在印刷電路板（pcb）上的封裝件的形式提供。隨著ssd裝置的數(shù)據(jù)處理速度增大，ssd裝置需要用...

本發(fā)明涉及電阻型存儲器，尤其涉及一種具有寬裕量電阻型存儲器電流檢測放大器基準(zhǔn)電路的磁阻式隨機存取存儲器（magneto-resistive?random-accessmemory，簡稱“mram”）設(shè)備及其操作方法。、眾所周知，磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)（magnetic?tunnel?junction...

、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備通常包括錯誤校正能力以校正當(dāng)從數(shù)據(jù)存儲設(shè)備讀取數(shù)據(jù)時發(fā)生的錯誤。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入到數(shù)據(jù)存儲設(shè)備時，數(shù)據(jù)被錯誤校正碼(ecc)低密度奇偶校驗(ldpc)編碼器編碼以生成冗余信息。冗余信息被稱為奇偶位。奇偶位和數(shù)據(jù)被存儲為ecc碼字。、當(dāng)從數(shù)據(jù)存儲設(shè)備讀取ecc碼字時，解碼器(...

本公開的實施例涉及存儲器設(shè)備和包括該存儲器設(shè)備的存儲設(shè)備。、存儲設(shè)備可以響應(yīng)于來自外部設(shè)備的寫入請求而存儲從該外部設(shè)備提供的數(shù)據(jù)。此外，存儲設(shè)備可以響應(yīng)于來自外部設(shè)備的讀取請求而向該外部設(shè)備提供存儲在其中的數(shù)據(jù)。作為能夠處理數(shù)據(jù)的電子設(shè)備的外部設(shè)備可以包括計算機、數(shù)碼相機或移動電話。存儲設(shè)...

本技術(shù)是一種光充電無線存儲器，屬于計算機領(lǐng)域。、光充電無線存儲器是一種結(jié)合光充電技術(shù)與無線數(shù)據(jù)存儲傳輸功能的設(shè)備。目前光充電無線存儲器常應(yīng)用于小型飛行器上。、現(xiàn)有技術(shù)中，一些光充電無線存儲器中微處理器等維持存儲器運行的電子部件均是固定于內(nèi)容器中的，而內(nèi)容器又是通過永磁體懸浮在密閉的外容器內(nèi)...